фотомагнитноэлектрический эффект, возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике (См.
Полупроводники)
, помещенном в магнитное поле. Электрическое поле перпендикулярно магнитному полю и потоку носителей тока (электронов проводимости (См.
Электрон проводимости)
, дырок (См.
Дырка))
, диффундирующих в полупроводнике в направлении от освещенной стороны полупроводника, где поглощённые фотоны образуют электронно-дырочные пары, к неосвещенной. К. - Н. э. наблюдается при резко неоднородной концентрации неосновных носителей тока, что достигается при сильном поглощении света. Открыт в 1933 И. К.
Кикоиным и М. М. Носковым. Применяется при исследовании полупроводников.